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说明

TXS4555 是一款完整的智能身份模块 (SIM) 卡解决方案，可用来连接无线基带处理器与 SIM 卡，从而可为移动手持终端应用存储 I/O 数据。 该器件不但符合 ISO / IEC 智能卡接口要求，而且还支持 GSM 与 3G 移动标准。 它包含能够支持 Class B (2.95 V) 与 Class C (1.8 V) 接口的高速电平转换器、低压降 (LDO) 稳压器，可在 2.95 V Class B 与 1.8 V Class C 接口之间选择输出电压。

注： 裸露的中心散热焊盘必须连接至接地。

该器件具有两组电源电压引脚。 VCC 支持 1.65 V 至 3.3 V 的整个电压范围，而 V_BATT则支持 2.3 至 5.5 V。VPWR 可设置为 1.8 V 或 2.95 V，并由内部 LDO 提供。 集成型 LDO 可接受高达 5.5 V 的输入电压，并可在 50 mA 电流下向 B 端电路系统及外部 SIM 卡输出 1.8 V 或 2.95 V 的电压。 TXS4555 可帮助系统设计人员轻松将低电压微处理器连接至工作电压为 1.8 V 或 2.95 V 的 SIM 卡。

此外，TXS4555 还根据 SIM 卡的 ISO 7816-3 规范为 SIM 卡引脚整合了关断定序功能。 SIM 卡信号的适当关断可在电话意外关机时保护数据免受损坏。 该器件不但可为 SIM 引脚提供 8 kV HBM 保护，而且还可为所有其它引脚提供标准 2kV HBM 保护。

特性

• 电平转换器
  • V_CC 范围：1.65 V 至 3.3 V
  • V_BATT 范围：2.3 至 5.5 V
• 低压降 (LDO) 稳压器
  • 带启用功能的 50 mA LDO 稳压器
  • 1.8 V 或 2.95 V 可选输出电压
  • 2.3 V 至 5.5 V 输入电压范围
  • 超低压降： 在 50 mA 时电压为 100 mV （最大值）
• 为 SIM 卡信号整合了关断特性，符合 ISO-7816-3 规范
• ESD 保护性能超过了 JESD 22 标准
  • 2000 V 人体模型 (A114-A)
  • 500 V 充电器件模型
  • SIM 引脚的 8kV HBM
• 封装 <--This was APPLICATIONS-->
  • 16 引脚 QFN（3 毫米 x 3 毫米）
  • 12 引脚 QFN（2 毫米 x 1.7 毫米）