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首款 120 V 启动高侧／低侧 MOSFET 驱动器

       UCC27210 与 UCC27211 是业界首批 120 V 启动高低侧双通道输出 MOSFET 驱动器，可在解决驱动器输入 -10 V 直流电 (VDC) 抗扰度问题的同时，提供高达 4 A 的输出电流。这两款驱动器提供 18 纳秒 (ns) 传播延迟，支持多种高频率半桥及全桥电源拓扑。上述综合特性可为具有 100 V 浪涌需求的电信、服务器以及工业电源设计提高效率，增强可靠性。

UCC27210 与 UCC27211 的主要技术特性：

       • 业界首批额定 120 V 的 4 A 高低侧驱动器（TTL 与伪 CMOS 兼容输入版本），可驱动 N 通道高低侧 FET；
       • 0.9 欧姆上拉及下拉电阻可最大限度降低 MOSFET 转换通过米勒效应平台时的开关损耗；
       • 增强的系统可靠性：输入支持 -10 伏直流，无需整流二极管便可实现到栅极驱动变压器的直接接口连接。

更快速度驱动更大电流

       此外，TI 还面向二次侧同步整流器 MOSFET 及 IGBT 电源开关推出了业界速度最快的 5 A 双通道低侧驱动器。该 UCC27524 提供低脉冲失真与高效性，并支持 12 ns 传播延迟， 6 ns 上升时间与 1 ns 输出延迟匹配。该驱动器支持 4.5 V 至 18 V 宽泛工作电压，可高度灵活地结合两组输出驱动电机驱动器系统等高达 10 A 的应用。

UCC27524 的主要技术特性：

       • 大电流与高性能：支持高效率的 5 A 峰值源极与汲极驱动器电流。支持 4.5 V 至 18 V 宽泛输入。2 组输出可并行，支持更大电流的驱动器；
       • 极快的速度：12 ns 典型传播延迟，6 ns 典型上升时间，两个通道间仅 1 ns 的典型输出延迟匹配；
       • 外形小巧：采用业界标准 8 引脚 SOIC 及 PDIP 封装