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供应 P沟道MOS FDN308 现货库存

FDN308Features
• –20 V, –1.5 A. RDS(ON) = 125 mΩ @ VGS = –4.5 V
RDS(ON) = 190 mΩ @ VGS = –2.5 V
• Fast switching speed
• High performance trench technology for extremely
low RDS(ON)
• SuperSOTTM -3 provides low RDS(ON) and 30% higher
power handling capability than SOT23 in the same
footprint