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供应 FDN336P 单P沟道现货库存

FDN336PFeatures
• –1.3 A, –20 V. RDS(ON) = 0.20 Ω @ VGS = –4.5 V
RDS(ON) = 0.27 Ω @ VGS = –2.5 V
• Low gate charge (3.6 nC typical)
• High performance trench technology for extremely
low RDS(ON)
• SuperSOTTM -3 provides low RDS(ON) and 30%
higher power handling capability than SOT23 in
the same footprint