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据台积电公司负责开发的高级副总裁蒋尚义透露，他们计划于2012年第三季度开始试产22nm HP(高性能)制程的芯片产品，并将于2013年第一季度开始试产22nm LP(低功耗)制程的芯片产品。蒋尚义是在日前于日本横滨召开的一次半导体产业论坛会议上透露这些信息的。

       会上蒋尚义还透露了台积电28nm制程推进计划的细节，据他表示，台积电将于今年6月底前开始试产28nm低功耗制程(LP)产品，基于这种制程产品将采用SiON+多晶硅材料制作管子的栅极绝缘层和栅极;随后的9月份台积电计划启动首款基于HKMG栅极结构的28nm制程--28HP的试产;最后，今年12月份晚些时候他们会开始第二款基于HKMG栅极结构的28nm制程(28HPL)的试产。

       另外，蒋尚义还表示目前台积电已经从Altera，富士通，高通以及信力公司那里接到了28nm芯片的代工订单。

       至于40nm制程部分，台积电表示其生产的40nm制程产品在市场上的份额已经达到80%强。尽管去年中期曾出现过良率不佳的问题，但经过两个季度的改进和完善之后，其40nm制程工艺的缺陷密度(Defect Density：一种质量特征，用每层和每平方厘米晶片上的缺陷数表示。)已经由原来的0.3-0.4降至0.1-.0.3左右。

       台积电的销售所得分布方面，蒋尚义表示，到今年年底，台积电的40nm制程业务方面所得的营收额将占到公司总营收额的20%左右，而去年年底这个比例则只有4%左右。

       目前台积电40nm制程芯片的季度产能约为8万片12英寸晶圆，蒋尚义并表示到今年年底，有关的产能将实现倍增。目前台积电只有Fab12一间工厂能够制作40nm制程芯片，不过台积电计划让Fab14工厂也具备40nm制程芯片的制造能力，以满足增加40nm芯片产能的需要。