品牌索引 产品分类 > 小信号开关二极管> 瞬态电压抑制器TVS/ESD> 双极管二极管> 调谐二极管> 齐纳(稳压)二极管> 小信号肖特基二极管> 频带转换二极管> 中/高功率管> 射频PIN二极管> Sinterglass二极管> 整流器 > N沟道(N-Channel)> P沟道(P-Channel)> 双N沟道(Dual N-Channel)> 双P沟道(Dual P-Channel)> 双N和P沟道(Dual N and P-Channel)
|
首 页 > 新闻动态 > 行业资讯 > NAND快闪存储器需求热 三星西安厂启动扩产 NAND快闪存储器需求热 三星西安厂启动扩产有鉴于NAND快闪存储器需求热度不退,三星电子周二宣布,将对西安的NAND快闪存储器厂进行扩产。 据三星表示,西安厂扩产工程将在本月稍晚展开,届时三星半导体部门总裁金奇南(Kim Ki-nam)将出席动土仪式。知情人士指出,西安厂三年扩产计划,投资规模达70亿美元。(韩联社) 另外,三星不久前刚通过投资60亿美元,将在韩国打造新一代晶圆厂,务求提升晶圆代工实力,拉近与台积电的差距。 韩国媒体ETnews报导指出,三星已夺得恩智浦(NXP),以及韩国无厂半导体公司Telechips的晶圆代工订单,有助于在明年第二季7纳米LPP极紫外光(EUV)制程量产前,填补一线客户高通跑单的缺口。 据世界半导体贸易协会(WSTS)最新一期报告预估,今年全球半导体销售额将来到4,510亿美元,年增率达9.5%,显着高于去年11月预测的7%。
来源:MoneyDJ新闻 |