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包括三星、SK海力士、美光等三大DRAM厂近2年来产能扩张幅度有限，加上20纳米以下先进制程转换难度提高，DRAM位元供给成长明显较往年放缓。但由需求面来看，智能手机搭载容量快速增加，物联网及汽车电子的需求亦进入倍数成长阶段。也因此，在供给吃紧情况下，DRAM价格由去年下半年一路涨到今年底，累计涨幅已将超过1倍。

　　以4GB DDR4模组合约价来看，去年第3季平均价格仅13美元，但今年第4季价格已大涨至30.5美元，不仅价格已连续6季度调涨，累计涨幅亦超过1.3倍。想当然，DRAM价格大涨也明显推升DRAM厂获利表现，三星今年DRAM事业营业利益逐季创下历史新高，也成为三星集团最赚钱的金鸡母。

　　不过，DRAM缺太久而且价格涨太多，的确已经让全球电子产业界怨声载道，面对来自客户的压力，三大DRAM厂不扩产实在说不过去，也因此，三星决定将其平泽12寸晶圆厂2楼原本要用来扩充NAND Flash产能的部份厂房空间，转为扩充DRAM产能并全数采用18纳米制程。

　　三星要扩产DRAM消息一传开，三星自己都还没说分明，外界反而开始替三星规划起产能来了，市场一度传出三星明年可能每个月扩增10万片以上DRAM投片量。不过，三星在日前法说会中已经说明白，会维持DRAM位元成长率与市场平均成长率相同，这个说法代表的就是三星对于扩充DRAM产能的态度仍然趋于保守，而目的自然是要维持目前的强劲获利及庞大现金流量。

　　事实上，三星去年及今年投在DRAM事业的资本支出早已超过100亿美元，但实际上却没有看到太多DRAM产能开出，其中关键原因在于制程由20纳米微缩进入1x纳米之后，晶圆投片到产出的生产周期拉长，原本20纳米每月10万片产能的生产线，改成1x纳米后月产能急降至8万片以下。

　　在此一情况下，三星新增产能只能用来填补原本自然减损的产能，近2年投入的100亿美元资金，实际上只能维持每月总投片量在40万片规模。由此来看，三星明年资本支出虽大幅提升，但多数仍用于3D NAND及10纳米晶圆代工，在DRAM的扩产上明显保守。

　　由此来看，三星的用意很明显，就是要用DRAM的获利来支撑集团其它事业的发展，而且以三星及SK海力士等韩系DRAM厂的扩产计划来看，新晶圆厂要真正进入量产阶段，最快也要等到2018年第4季，实际有产出也要等到2019年上半年。也因此，DRAM明年仍将会是供给吃紧的一年，DRAM业者获利仍有很不错的成长空间。