品牌索引 产品分类 > 小信号开关二极管> 瞬态电压抑制器TVS/ESD> 双极管二极管> 调谐二极管> 齐纳(稳压)二极管> 小信号肖特基二极管> 频带转换二极管> 中/高功率管> 射频PIN二极管> Sinterglass二极管> 整流器 > N沟道(N-Channel)> P沟道(P-Channel)> 双N沟道(Dual N-Channel)> 双P沟道(Dual P-Channel)> 双N和P沟道(Dual N and P-Channel)
|
首 页 > 新闻动态 > 行业资讯 > 台积电明年量产10纳米芯片 只为赶超三星 台积电明年量产10纳米芯片 只为赶超三星面对三星14nm FinFET Exynos 7420处理器的强势来袭,另一家芯片代工厂台积电可坐不住了,要知道在芯片制造领域,工艺技术的落后就代表着客户和利润的流失。而为了扭转这种落后局面,近日台积电表示将在明年大幅量产10nm工艺芯片。
为了实现这一目标,台积电计划于今年6月在台湾中部建造一间全新的12英寸晶圆工厂,而台积电主席Morris Chang则明确表示该工厂将采用相当先进的10nm制造工艺,也就是说如果三星半导体没有在近几个月内有所突破的话,台积电将会很快缩小与其之间的差距。 不过需要注意的是,三星的14nm FinFET工艺目前仍然处于业界领先地位,而且这家韩国电子巨头也已经首次测试了10nm FinFET工艺芯片,甚至要领先于芯片霸主英特尔,而后者或许要等到明年才能上马10nm工艺,但不管是三星还是英特尔都已将目标放在了更远的7nm和 5nm工艺,由此可见台积电加紧10nm工艺进程只是为了缩小差距,而并非为了超越领头羊。 |