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首 页 > 新闻动态 > 行业资讯 > 东芝推出汽车用单通道高边N沟道功率MOSFET栅极驱动器 东芝推出汽车用单通道高边N沟道功率MOSFET栅极驱动器东芝旗下半导体&存储产品公司今天宣布,推出单通道高边N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)栅极驱动器“TPD7104F”。新产品是一个适用于电荷泵的一体化电路,与东芝的传统产品相比,工作电压更低[1],为VDD(opr) = 5至18V。出货即日起启动。
新产品主要规格 1.BiCD 0.13μm工艺 2.供电电压:VDD(opr)=5至18V 3.内置过流保护功能 4.内置过流诊断功能 5.输出电压 VOUT=VDD+8V(最低值)@VDD=5V,IOUT=-100μA,Tj=-40至125°C VOUT=VDD+10V(最低值)@VDD=8至18V,IOUT=-100μA,Tj=-40至125°C 6.小型封装 PS-8 (2.8mm x 2.9mm) 应用 适用于汽车应用,驱动12V蓄电池所使用的高边N沟道MOSFET,包括用于怠速停止系统和电动助力转向系统(EPS)的半导体继电器和半导体负载开关。
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