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供应 IRL3705NPBF IR TO-220 汽车MOSFET

Specifically designed for Automotive applications, ID = 75A
this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest
processing techniques to achieve extremely low onresistance
per silicon area. Additional features of
this design are a 175°C junction operating temperature,
fast switching speed and improved repetitive
avalanche rating . These features combine to make
this design an extremely efficient and reliable device
for use in Automotive applications and a wide variety
of other applications.