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　半导体业界已发展出运用FinFET的半导体制造技术，对制程流程、设备、电子设计自动化、IP与设计方法产生极大变化。特别是IDM业者与晶圆代工厂正竞相加码研发以FinFET生产应用处理器的技术，促使市场竞争态势急速升温。
　　
　　过去数10年来，互补式金属氧化物半导体(CMOS)平面电晶体一直是电子产品的主要建构材料，电晶体几何结构则一代比一代小，因此能开发出高效能且更便宜的半导体晶片。
　　
　　然而，电晶体在空间上的线性微缩已达极限，电晶体缩小到20奈米(nm)以下，会降低通道闸极控制效果，造成汲极(Drain)到源极(Source)的漏电流增加，并引发不必要的短通道效应(ShortChannelEffect)，而电晶体也会进入不当关闭状态，进而增加电子装置待机耗电量。所幸立体式的鳍式电晶体(FinFET)技术出现后发挥作用，在FinFET结构中，由于通道被三层闸极包覆，可更有效压制关闭状态漏电流。
　　
　　三层闸极还能让装置在「开机状态」下增强电流，又称为驱动电流(DriveCurrent)。这些优点能转换为更低的耗电与更高的装置效能。3DFinFET装置预料将比传统使用2D平面电晶体的产品更为精实，如此一来晶粒的整体尺寸也会更小。整体而言，FinFET技术能减少晶片漏电流、提高效能并缩小晶粒尺寸，将成为未来10年最重要的半导体制造技术，带动系统单晶片(SoC)产业成长。                  注：本文转自网络