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首 页 > 新闻动态 > 行业资讯 > 凌力尔特理想二极管桥控制器可减少整流器电压损失 凌力尔特理想二极管桥控制器可减少整流器电压损失凌力尔特(Linear) 推出一款用于 9V 至 72V系统的理想二极管桥控制器 LT4320。其采用低损耗 N 沟道 MOSFET 替代了全波桥式整流器中的全部 4 个二极管,以显著地降低功率耗散并增加可用电压。由于电源效率的提升免除了笨重的散热器,因此缩减了电源尺寸。通过免除二极管桥中固有的两个二极管压降提供了额外的裕度,低电压应用将从中获益。与传统的替代方案相比,MOSFET 桥可实现具有高空间利用率和电源效率的整流器设计。控制器的工作频率范围为 DC 至 600Hz。
LT4320 开关控制电路平稳地接通两个适当的 MOSFET,同时将另外两个 MOSFET 保持在关断状态以防止反向电流。一个集成型充电泵负责为外部低导通电阻 N 沟道 MOSFET 提供栅极驱动,并不需要外部电容器。MOSFET 的选择在 1W 到几千瓦的功率级别范围内提供了最大的灵活性。
LT4320 提供了两种选项:LT4320 设计用于 DC 至 60Hz 电压整流,而 LT4320-1 则专为 DC 至 600Hz 电压整流而设计。LT4320 规格在 -40℃至 85℃ 的工业温度范围,其可提供紧凑型 8 引脚 3mm x 3mm DFN 封装,以及具有增大的高电压引脚间距的 12 引脚 MSOP 封装。以 1,000 片为单位批量购买,每片价格为 2.95 美元,该器件现可按生产批量供货。评估电路板可在线获取,或通过当地的凌力尔特销售办事处获得。 |