品牌索引 产品分类 > 小信号开关二极管> 瞬态电压抑制器TVS/ESD> 双极管二极管> 调谐二极管> 齐纳(稳压)二极管> 小信号肖特基二极管> 频带转换二极管> 中/高功率管> 射频PIN二极管> Sinterglass二极管> 整流器 > N沟道(N-Channel)> P沟道(P-Channel)> 双N沟道(Dual N-Channel)> 双P沟道(Dual P-Channel)> 双N和P沟道(Dual N and P-Channel)
|
首 页 > 新闻动态 > 行业资讯 > Vishay发布新款斜率控制的P沟道高边负载开关 Vishay发布新款斜率控制的P沟道高边负载开关日前,Vishay Intertechnology宣布推出可在1.5V~5.5V电压下工作的新款上升斜率控制的P沟道高边负载开关--- SiP32458和SiP32459。这两款器件均具有一个集成的可提供稳定的20mΩ低导通电阻,同时保持低静态电流的栅极泵。器件采用小尺寸6凸点晶圆级CSP封装(WCSP6),将4.5V下的导通电压上升斜率控制在3ms,限制使用容性或噪声敏感负载的设计方案的涌入电流。
为实现更高的效率,今天发布的负载开关在1.5V、1.8V电压下的开关导通电阻为30mΩ和26mΩ,在3.3V和5V下的导通电阻为20mΩ。两款开关支持3A的连续电流,低至4.2µA的静态电流使电池供电设备的工作时间更长。在禁用的情况下,SiP32458提供一个反向阻断电路,防止大电流流入电源;SiP32459集成了一个输出放电开关,当负载开关禁用时,这个放电开关使负载能够快速放电。SiP32458和SiP32459的WCSP6封装具有1mm x 1.5mm的小占位,节距0.5mm,在顶侧进行层压,以增强机械耐用性。为了节省空间,负载开关采用较低的输入逻辑控制阈值电压,能够直接连接低电压I/O管脚,不需要外部的电平转换电路或更高电压的栅极驱动器。这两款器件在控制逻辑的EN脚上都提供集成的2.8MΩ下拉电阻。 SiP32458和SiP32459可用于智能手机、GPS设备、数码相机、媒体播放器、笔记本电脑和平板电脑等便携式电子产品,游戏机、医疗和保健设备,以及工业仪表中的负载切换。器件符合RoHS,无卤素。 SiP32458和SiP32459现可提供样品,并已实现量产,供货周期为十二周。 |