品牌索引
产品分类 > 小信号开关二极管> 瞬态电压抑制器TVS/ESD> 双极管二极管> 调谐二极管> 齐纳(稳压)二极管> 小信号肖特基二极管> 频带转换二极管> 中/高功率管> 射频PIN二极管> Sinterglass二极管> 整流器 > N沟道(N-Channel)> P沟道(P-Channel)> 双N沟道(Dual N-Channel)> 双P沟道(Dual P-Channel)> 双N和P沟道(Dual N and P-Channel)
|
首 页 > 新闻动态 > 行业资讯 > 安森美高能效DC-DC转换器可大幅降低待机功耗 安森美高能效DC-DC转换器可大幅降低待机功耗 2013年2月28日，推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor)推出提升轻载能效的3安培(A)降压DC-DC转换器集成电路(IC)——LV5980MC。这器件能够降低消费电子产品设计中的待机模式能耗。 LV5980MC将4.5伏(V)至23 V的输入电压稳压降为低至1.235 V的输出电压。这器件集成了低能耗省电功能(工作电流为63微安(μA)，支持脉宽调制(PWM)及脉频调制(PFM))，在典型应用中输出电流为2毫安(mA)时能提供80%的能效。这器件还提供370千赫兹(kHz)内部固定开关频率、100毫欧(mΩ)高边MOSFET，且能够提供达3.0 A的负载电流。
安森美半导体的三洋LSI产品分部总监中岛宪一说：“家庭或办公室消费电子产品都要求省电，其中一项关键省电要求就是降低待机模式下的能耗。LV5980MC集成了省电功能，可提升轻载时的电源转换效率，提供有效及高能效的方案。” |
