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首 页 > 新闻动态 > 行业资讯 > 东芝推出了超低导通电阻功率MOSFET 东芝推出了超低导通电阻功率MOSFET东芝公司(Toshiba Corporation)推出了一种低导通电阻功率MOSFET，该产品也成为其专为汽车应用打造的TO-220SIS封装系列中的最新成员。新产品“TK80A04K3L”还实现了低漏电电流和175℃的保证工作温度。该产品不但非常适用于汽车应用，还适用于电机驱动器和开关稳压器。
主要特性 1. 低导通电阻 (VGS=10V) ，RDS(ON)=1.9mΩ(标准值) 2. 低漏电电流IDSS=10μA(最大值) (VDS=额定电压) 3. 通道温度=175℃保证工作温度 4. 引线插入类型TO-220SIS封装（责编：damon） |
