供应 IR IRFP260 MOSFET晶体管.

沟道类型: N-Channel

最大耗散功率 (Pd): 280W

漏源电压 (Uds): 200V

漏栅电压 (Udg):

栅源电压 (Ugs): 10V

最大漏极电流 (Id): 46A

最大工作温度 (Tj): 150°C

导通上升时间 (tr):

输出电容 (Cd), pf:

静态的漏源极导通电阻 (Rds), Ohm: 0.055

制造商: IRF

封装形式: TO-3P