汽车动力转向系统的设计工程师需要能够提供更高效率和更佳
功率控制的解决方案。
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)的40V N沟道PowerTrench
MOSFET可帮助设计人员应对这些挑战。
FDB9403利用飞兆半导体的屏蔽栅极技术,改进了电阻并降低了电容。 该器件的RDS(ON) 比其最直接竞争对手低20%,并具有较低的Qg值,可降低功耗并最终提高总体效率。 FDB9403 MOSFET作为用于电流控制的基本开关,可有效控制电能而不将其浪费,因此非常适合电动助力转向、悬架控制和传动系管理等应用。