品牌索引 产品分类 > 小信号开关二极管> 瞬态电压抑制器TVS/ESD> 双极管二极管> 调谐二极管> 齐纳(稳压)二极管> 小信号肖特基二极管> 频带转换二极管> 中/高功率管> 射频PIN二极管> Sinterglass二极管> 整流器 > N沟道(N-Channel)> P沟道(P-Channel)> 双N沟道(Dual N-Channel)> 双P沟道(Dual P-Channel)> 双N和P沟道(Dual N and P-Channel)
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首 页 > 新闻动态 > 行业资讯 > 英飞凌推出抗辐射加固型MOS开关器件 英飞凌推出抗辐射加固型MOS开关器件英飞凌科技推出其首个专用于空间和航空应用而设计的电源开关器件。全新BUY25CSXX系列抗辐射加固型(RH)功率MOS器件拥有出类拔萃的性能,可支持面向空间应用的高能效电源调理和电源系统设计。该产品融合了英飞凌在高度可靠的晶体管和高效率MOS开关器件领域的技术专长。总部设在欧洲的英飞凌是适用于卫星通信系统的射频二极管和微波晶体管的全球领先供应商。
RH功率MOS技术针对电离总剂量(TID)和单粒子效应(SEE)实现了加固,可打造出符合满足欧洲航天局(ESA)要求的器件。这些器件完全符合ESCC5000质量要求。英飞凌是欧洲唯一一家可提供完全符合所有ESA要求的250 V RH功率MOS器件的供应商。 在空间应用中,能效和可靠性是至关重要的参数,所有系统元件都要在满足尺寸和重量限制的同时,提供最优性能并防止星载辐射造成损害。RH功率MOS系列器件的技术规格体现了这两方面的考虑,包括: • 出类拔萃的导通电阻Rds(on)(20毫欧姆,采用SMD2封装的250V器件) |