品牌索引 产品分类 > 小信号开关二极管> 瞬态电压抑制器TVS/ESD> 双极管二极管> 调谐二极管> 齐纳(稳压)二极管> 小信号肖特基二极管> 频带转换二极管> 中/高功率管> 射频PIN二极管> Sinterglass二极管> 整流器 > N沟道(N-Channel)> P沟道(P-Channel)> 双N沟道(Dual N-Channel)> 双P沟道(Dual P-Channel)> 双N和P沟道(Dual N and P-Channel)
|
首 页 > 新闻动态 > 行业资讯 > ST发布双端控制器用于高性能电源设计 ST发布双端控制器用于高性能电源设计意法半导体日前发布先进的双端控制器:L6599,新控制器专为串联共振半桥拓扑结构设计。丰富的功能、灵活的设计,使其实现了卓越的性能,可用于设计完全受保护的、高可靠性电源,这些电源特别适用于LCD、PDP电视、笔记本电脑与游戏控制台所需的高端AC/DC适配器、80+自适应ATX银盒、服务器与电信SMPS等应用。 相对于L6598,新的L6599添加的特性包括:用于直接连接PFC(功率因数校正器)的专用输出、两级过电流保护(OCP)、锁存禁用输入、轻负载的突发模式操作、输入上电/断电次序及低压保护。 该器件具有50%互补占空比及嵌入的固定停滞时间,确保了软启动转换。支持高效、低电磁干扰辐射的高频运作(最高500kHz)。为了以自举方式驱动高端开关,新器件集成高压浮动构造,可以经受超过600V的电压。采用同步驱动高压横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS),因而无需外部快速恢复阴极负载二极管。 L6599提供了门驱动器具备的典型0.6A源电流与1.2A吸收电流的峰值电流特性,并支持设计人员通过外部可编程振荡器设置工作频率范围。 非线性软启动防止突入电流并最小化输出电压过冲。器件具有受控的突发模式运作,因此显著的降低了平均开关频率及轻负载或空载条件下的相关损耗。 利用新的共振控制器,设计师可以满足能量节省的需求,即使是在功率因数校正系统中。专用的输出令该IC电路在突发模式中可关断功率因数校正器的前置调节器,因此消除了该阶段的无负载损耗。 L6599的其他主要特性包括:小于30mW的低功耗、歪斜率50V/ns下确保的无闭锁效应、非锁存禁止输入、高性能过电流保护,可提供针对过载及短路现象的完整保护。此外,附加的锁存禁止输入可轻松实现过温和/或过压保护(OVP)。 |