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产品分类 > 小信号开关二极管> 瞬态电压抑制器TVS/ESD> 双极管二极管> 调谐二极管> 齐纳(稳压)二极管> 小信号肖特基二极管> 频带转换二极管> 中/高功率管> 射频PIN二极管> Sinterglass二极管> 整流器 > N沟道(N-Channel)> P沟道(P-Channel)> 双N沟道(Dual N-Channel)> 双P沟道(Dual P-Channel)> 双N和P沟道(Dual N and P-Channel)
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产品介绍 MCP6561 特性
• 1.8VDD 时的传输延时： - 高电平至低电平：56 ns （典型值） - 低电平至高电平：49 ns （典型值） • 低静态电流： 100 μA （典型值） • 输入失调电压： ±3 mV （典型值） • 轨到轨输入： VSS - 0.3V 至 VDD + 0.3V • CMOS/TTL 兼容输出 • 宽电源电压范围： 1.8V 至 5.5V • 提供单个、两个和四个比较器 • 封装： SC70-5、SOT-23-5、 SOIC、MSOP 和 TSSOP |
